| 專利名稱: | 具有H型柵的射頻SOI LDMOS器件 |
| 專利類別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200810057936.2 |
| 申請(qǐng)日期: | 2008-02-21 |
| 專利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 劉夢(mèng)新, 畢津順, 范雪梅, 趙超榮, 韓鄭生, 劉剛 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | ZL200810057936.2 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 一室一組 |
科研產(chǎn)出