| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種二氧化二氧化硅犧牲層釋放系統(tǒng) |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 實(shí)用新型 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200920350781.1 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-12-30 |
| 專(zhuān)利號(hào): | 200920350781.1 |
| 第一發(fā)明人: | 王磊，景玉鵬 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出