專利名稱: | 單片集成增強(qiáng)/耗盡型GaAs MHEMT環(huán)形振蕩器的制作方法 |
專利類別: | 發(fā)明專利 |
申請?zhí)?/strong>: | 200810102205.5 |
申請日期: | 2008-03-19 |
專利號: | 200810102205.5 |
第一發(fā)明人: | 黎明,張海英,徐靜波,付曉君 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | |
其它備注: | |
科研產(chǎn)出