| 專利名稱: | BJ111-0155-串聯(lián)ggNMOS管及制備方法、多VDD-VSS芯片 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201110130029.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-05-19 |
| 專利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 姜一波,杜寰 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出