| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種基于MOS電容的等離子體損傷測(cè)試結(jié)構(gòu) |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 實(shí)用新型 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201120252422.X |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-07-18 |
| 專(zhuān)利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 王守國(guó) |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出