| 專利名稱: | 集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的金屬氧化物電阻存儲(chǔ)器及其制備方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201110066086.4 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-03-18 |
| 專利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 呂杭炳，劉明，龍世兵，劉琦，王艷花，牛潔斌 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出