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專利名稱: 具有高擊穿電壓的HEMT及其制造方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201110116103.0
申請日期: 2011-05-05
專利號:
第一發(fā)明人: 趙超, 羅軍, 陳大鵬，葉甜春
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: