| 專(zhuān)利名稱: | 金屬源漏SOI MOS晶體管及其形成方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 發(fā)明專(zhuān)利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201110161231.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-06-15 |
| 專(zhuān)利號(hào): | |
| 第一發(fā)明人: | 趙超,羅軍,鐘匯才,王文武 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | |
科研產(chǎn)出