| 專利名稱: | 一種在IGBT或者VDMOS上形成的溝槽 |
| 專利類別: | 實(shí)用新型 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201220688948.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2012-12-13 |
| 專利號(hào): | ZL201220688948.7 |
| 第一發(fā)明人: | 張文亮,趙佳,朱陽軍,田曉麗 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 一室 |
科研產(chǎn)出