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專利名稱: 集成標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的電阻存儲器及其制備方法
專利類別: 發(fā)明
申請?zhí)?/strong>: 201110066088.3
申請日期: 2011-03-18
專利號: 201110066088.3
第一發(fā)明人: 呂杭炳,劉明,龍世兵,劉琦,王艷花,牛潔斌
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: 三室