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專利名稱: 半導(dǎo)體器件及其制造方法
專利類別: 發(fā)明
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/071351
申請日期: 2011-02-27
專利號(hào): US8441045
第一發(fā)明人: 朱慧瓏,梁擎擎,尹海洲,駱志炯
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況:
專利證書號(hào):
專利摘要:
其它備注: 十室