| 專(zhuān)利名稱(chēng): | MOSFET及其制造方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | PCT/CN2011/077864 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-08-01 |
| 專(zhuān)利號(hào): | US8,426,920 |
| 第一發(fā)明人: | 朱慧瓏,梁擎擎,尹海洲,駱志炯 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出