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專利名稱: MOS晶體管及其形成方法
專利類別: 發(fā)明
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/070695
申請日期: 2011-01-27
專利號: US8,420,492
第一發(fā)明人: 鐘匯才,梁擎擎,楊達,趙超
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況:
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: 十室