| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201010215125.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2010-06-22 |
| 專(zhuān)利號(hào): | ZL201010215125.8 |
| 第一發(fā)明人: | 尹海洲,駱志炯,朱慧瓏 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出