| 專利名稱: | 具有改善的載流子遷移率的NMOS的制造方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | PCT/CN2010/074145 |
| 申請(qǐng)日期: | 2010-06-21 |
| 專利號(hào): | US8361851 |
| 第一發(fā)明人: | 朱慧瓏,尹海洲,駱志炯 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書(shū)號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出