專利名稱: | 控制閥值電壓特性的CMOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制造方法 |
專利類別: | 發(fā)明 |
申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2010/074384 |
申請日期: | 2010-06-24 |
專利號: | US8,410,541 |
第一發(fā)明人: | 王文武,朱慧瓏,陳世杰,陳大鵬 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | |
其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出