| 專利名稱: | SiC肖特基二極管及其制作方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201110380007.7 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-11-25 |
| 專利號(hào): | 201110380007.7 |
| 第一發(fā)明人: | 白云,申華軍,湯益丹,李博,周靜濤,楊成樾,劉煥明,劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 四室 |
科研產(chǎn)出