專利名稱: | 一種GaN HEMT器件跨導(dǎo)頻散特性的測量系統(tǒng)及方法 |
專利類別: | 發(fā)明 |
申請?zhí)?/strong>: | 201010575278.3 |
申請日期: | 2010-12-07 |
專利號: | 201010575278.3 |
第一發(fā)明人: | 蒲顏,龐磊,陳曉娟,歐陽思華,李艷奎,劉新宇 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | |
專利證書號: | |
專利摘要: | |
其它備注: | 四室一組 |
科研產(chǎn)出