| 專利名稱: | 高性能半導(dǎo)體器件及其形成方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 200910243851.8 |
| 申請(qǐng)日期: | 2009-12-23 |
| 專利號(hào): | ZL200910243851.8 |
| 第一發(fā)明人: | 尹海洲,駱志炯,朱慧瓏 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | |
| 專利證書號(hào): | |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出