| 專利名稱: | 控制器件閾值電壓的CMOSFETs結(jié)構(gòu)及其制造方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 200910087807.2 |
| 申請日期: | 2009-06-26 |
| 專利號: | ZL200910087807.2 |
| 第一發(fā)明人: | 王文武 |
| 其它發(fā)明人: | 王文武;朱慧瓏;陳世杰;陳大鵬 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL200910087807.2 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出