| 專利名稱: | 使用FinFET的非易失性存儲器件及其制造方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 201010227256.8 |
| 申請日期: | 2010-07-07 |
| 專利號: | ZL201010227256.8 |
| 第一發(fā)明人: | 朱慧瓏 |
| 其它發(fā)明人: | 朱慧瓏;尹海洲;駱志炯 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL201010227256.8 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出