| 專(zhuān)利名稱(chēng): | 一種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 發(fā)明專(zhuān)利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201010102696.0 |
| 申請(qǐng)日期: | 2010-01-28 |
| 專(zhuān)利號(hào): | ZL201010102696.0 |
| 第一發(fā)明人: | 陳大鵬 |
| 其它發(fā)明人: | 陳大鵬;梁擎擎 |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | ZL201010102696.0 |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出