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專利名稱: 基于霍爾效應(yīng)的MOS晶體管
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201010259644.4
申請日期: 2010-08-20
專利號: ZL201010259644.4
第一發(fā)明人: 梁擎擎
其它發(fā)明人: 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: ZL201010259644.4
專利摘要:
其它備注: 中國科學院微電子研究所