專利名稱: | 利用等離子體浸沒離子注入制備黑硅的方法 |
專利類別: | 發(fā)明專利 |
申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2010/075454 |
申請日期: | 2010-07-26 |
專利號: | US8703591B2 |
第一發(fā)明人: | 夏洋 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | 授權(quán) |
專利證書號: | US8703591B2 |
專利摘要: | |
其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出