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專利名稱: 利用等離子體浸沒離子注入制備黑硅的方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2010/075454
申請日期: 2010-07-26
專利號: US8703591B2
第一發(fā)明人: 夏洋
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: US8703591B2
專利摘要:
其它備注: 中國科學(xué)院微電子研究所