| 專利名稱: | MOS晶體管及其形成方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 201010618284.2 |
| 申請日期: | 2010-12-31 |
| 專利號: | ZL201010618284.2 |
| 第一發(fā)明人: | 鐘匯才 |
| 其它發(fā)明人: | 鐘匯才;梁擎擎;楊達(dá);趙超 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL201010618284.2 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出