| 專利名稱: | BJ111-0155-串聯(lián)ggNMOS管及制備方法、多VDD-VSS芯片 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 201110130029.8 |
| 申請日期: | 2011-05-19 |
| 專利號: | ZL201110130029.8 |
| 第一發(fā)明人: | 姜一波 |
| 其它發(fā)明人: | 姜一波;杜寰 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL201110130029.8 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出