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專利名稱: MOS器件的建模方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201210123082.X
申請日期: 2012-04-24
專利號: 201210123082.X
第一發(fā)明人: 卜建輝
其它發(fā)明人: 卜建輝;畢津順;梅博;羅家俊;韓鄭生
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: 201210123082.X
專利摘要:
其它備注: 中國科學(xué)院微電子研究所