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專利名稱: PMOS器件疊層結構的制備和柵功函數(shù)調節(jié)方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201110046360.1
申請日期: 2011-02-25
專利號: ZL201110046360.1
第一發(fā)明人: 范正萍
其它發(fā)明人: 徐秋霞;李永亮
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號: ZL201110046360.1
專利摘要:
其它備注: 中國科學院微電子研究所