| 專利名稱: | 用于超淺結(jié)注入的離子源裝置 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 201110004958.4 |
| 申請日期: | 2011-01-11 |
| 專利號: | ZL201110004958.4 |
| 第一發(fā)明人: | 范正萍 |
| 其它發(fā)明人: | 劉金彪;張琦輝;宋希明;張浩;李琳;劉強(qiáng);丁明正;李俊峰;趙超 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL201110004958.4 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出