| 專利名稱: | 改進(jìn)MOSFETs鎳基硅化物熱穩(wěn)定性的方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | 201110074395.6 |
| 申請日期: | 2011-03-25 |
| 專利號: | ZL201110074395.6 |
| 第一發(fā)明人: | 范正萍 |
| 其它發(fā)明人: | 趙超;鐘匯才;李俊峰 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | ZL201110074395.6 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出