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專利名稱: 半導體結構及其制作方法
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/071318
申請日期: 2011-02-25
專利號: US8766371
第一發(fā)明人: 范正萍
其它發(fā)明人: 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號: US8766371
專利摘要:
其它備注: 中國科學院微電子研究所