| 專利名稱: | 半導(dǎo)體器件的接觸的制造方法及具有該接觸的半導(dǎo)體器件 |
| 專利類別: | 國際專利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | PCT/CN2011/000693 |
| 申請(qǐng)日期: | 2011-04-20 |
| 專利號(hào): | GB2484637 |
| 第一發(fā)明人: | 范正萍 |
| 其它發(fā)明人: | 鐘匯才;梁擎擎 |
| 國外申請(qǐng)日期: | |
| 國外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號(hào): | GB2484637 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出