專利名稱: | 嵌入式源/漏MOS晶體管及其形成方法 |
專利類別: | 國際專利 |
申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2011/078320 |
申請日期: | 2011-08-12 |
專利號: | US8748983 |
第一發(fā)明人: | 范正萍 |
其它發(fā)明人: | 鐘匯才;趙超;梁擎擎 |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | 授權(quán) |
專利證書號: | US8748983 |
專利摘要: | |
其它備注: | 中國科學院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出