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專利名稱: 阱區(qū)的形成方法和半導(dǎo)體基底
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/077634
申請日期: 2011-07-26
專利號: US8815698
第一發(fā)明人: 范正萍
其它發(fā)明人: 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: US8815698
專利摘要:
其它備注: 中國科學(xué)院微電子研究所