| 專利名稱: | 制作鰭式場效應(yīng)晶體管的方法以及由此形成的半導體結(jié)構(gòu) |
| 專利類別: | 國際專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2011/002004 |
| 申請日期: | 2011-11-30 |
| 專利號: | US8729638 |
| 第一發(fā)明人: | 范正萍 |
| 其它發(fā)明人: | 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費情況: | |
| 實施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | US8729638 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出