專利名稱: | 一種閃存器件及其形成方法 |
專利類別: | 國際專利 |
申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2011/071248 |
申請日期: | 2011-02-24 |
專利號: | US8,878,280 |
第一發(fā)明人: | 范正萍 |
其它發(fā)明人: | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | 授權(quán) |
專利證書號: | US8,878,280 |
專利摘要: | |
其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出