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專利名稱: 半導體器件的制造方法
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/083471
申請日期: 2011-12-05
專利號: US8,642,433
第一發(fā)明人: 范正萍
其它發(fā)明人: 鐘匯才;羅軍;趙超;梁擎擎
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號: US8,642,433
專利摘要:
其它備注: 中國科學院微電子研究所