| 專利名稱: | 使源/漏區(qū)更接近溝道區(qū)的MOS器件及其制作方法 |
| 專利類別: | 國際專利 |
| 申請?zhí)?/strong>: | PCT/CN2012/000476 |
| 申請日期: | 2012-04-10 |
| 專利號: | US8841190 |
| 第一發(fā)明人: | 秦長亮 |
| 其它發(fā)明人: | 秦長亮;殷華湘 |
| 國外申請日期: | |
| 國外申請方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號: | US8841190 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出