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專利名稱: 半導(dǎo)體器件及其制造方法
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2012/001153
申請日期: 2012-08-27
專利號: US8853024
第一發(fā)明人: 殷華湘
其它發(fā)明人: 殷華湘;閆江;陳大鵬
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況: 授權(quán)
專利證書號: US8853024
專利摘要:
其它備注: 中國科學(xué)院微電子研究所