| 專(zhuān)利名稱: | 半導(dǎo)體器件及其制造方法 |
| 專(zhuān)利類(lèi)別: | 國(guó)際專(zhuān)利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | PCT/CN2010/000836 |
| 申請(qǐng)日期: | 2010-06-11 |
| 專(zhuān)利號(hào): | US 2,483,414 |
| 第一發(fā)明人: | 尹海洲 |
| 其它發(fā)明人: | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專(zhuān)利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專(zhuān)利證書(shū)號(hào): | US 2,483,414 |
| 專(zhuān)利摘要: | |
| 其它備注: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出