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專利名稱: 一種源漏區(qū)、接觸孔及其形成方法
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: GB1122081.1
申請日期: 2011-02-18
專利號: GB2,493,226
第一發(fā)明人:
其它發(fā)明人: 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: GB2,493,226
專利摘要:
其它備注: 中國科學院微電子研究所