專利名稱: | 一種源漏區(qū)、接觸孔及其形成方法 |
專利類別: | 國際專利 |
申請?zhí)?/strong>: | GB1122081.1 |
申請日期: | 2011-02-18 |
專利號: | GB2,493,226 |
第一發(fā)明人: | |
其它發(fā)明人: | 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯 |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費情況: | |
實施情況: | 授權(quán) |
專利證書號: | GB2,493,226 |
專利摘要: | |
其它備注: | 中國科學院微電子研究所 |
科研產(chǎn)出