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專利名稱: MOSFET及其制造方法
專利類別: 國際專利
申請(qǐng)?zhí)?/strong>: PCT/CN2011/077858
申請(qǐng)日期: 2011-08-01
專利號(hào): US9012272
第一發(fā)明人: 朱慧瓏;梁擎擎;駱志炯;尹海洲
其它發(fā)明人:
國外申請(qǐng)日期:
國外申請(qǐng)方式:
專利授權(quán)日期:
繳費(fèi)情況:
實(shí)施情況: 授權(quán)
專利證書號(hào):
專利摘要:
其它備注: