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專利名稱: 一種原子層沉積設(shè)備
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201210001945.6
申請日期: 2012-01-05
專利號: ZL 201210001945.6
第一發(fā)明人: 張艷清;夏洋;李超波;萬軍;呂樹玲;陳波;石莎莉;李楠
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: