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專利名稱: 使源/漏區(qū)更接近溝道區(qū)的MOS器件及其制作方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201210089963.4
申請日期: 2012-03-30
專利號: 201210089963.4
第一發(fā)明人: 秦長亮;殷華湘
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: