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專利名稱: N型MOSFET的制造方法
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2012/086125
申請日期: 2012-12-07
專利號: US9029225
第一發(fā)明人: 徐秋霞;朱慧瓏;許高博;周華杰
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號:
專利摘要:
其它備注: