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專利名稱: 金屬源漏SOI MOS晶體管及其形成方法
專利類別: 發(fā)明專利
申請?zhí)?/strong>: 201110161231.7
申請日期: 2011-06-15
專利號: 201110161231.7
第一發(fā)明人: 趙超;羅軍;鐘匯才;王文武
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權(quán)日期:
繳費情況:
實施情況: 授權(quán)
專利證書號: 201110161231.7
專利摘要:
其它備注: 十室