專利名稱: | 一種硅基絕緣體上鍺襯底結(jié)構(gòu)及其制備方法 |
專利類別: | 發(fā)明專利 |
申請?zhí)?/strong>: | 201210258454.X |
申請日期: | 2012-07-24 |
專利號: | 201210258454.X |
第一發(fā)明人: | 王盛凱;劉洪剛;孫兵;趙威;薛百清 |
其它發(fā)明人: | |
國外申請日期: | |
國外申請方式: | |
專利授權(quán)日期: | |
繳費(fèi)情況: | |
實(shí)施情況: | 授權(quán) |
專利證書號: | 201210258454.X |
專利摘要: | |
其它備注: | 高頻高壓中心 |
科研產(chǎn)出