| 專利名稱: | N型高效太陽(yáng)能電池中一種制備p+型摻雜層與n+前表面場(chǎng)的方法 |
| 專利類別: | 發(fā)明專利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | 201210323522.6 |
| 申請(qǐng)日期: | 2012-09-04 |
| 專利號(hào): | 201210323522.6 |
| 第一發(fā)明人: | 賈銳;張巍;陳晨;張代生;金智;劉新宇 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書(shū)號(hào): | 201210323522.6 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 高頻高壓中心 |
科研產(chǎn)出