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專利名稱: 用STI的拐角應力增強MOSFET性能
專利類別: 國際專利
申請?zhí)?/strong>: PCT/CN2012/000403
申請日期: 2012-03-29
專利號: 9,356,025
第一發(fā)明人: 朱慧瓏;駱志炯;尹海洲
其它發(fā)明人:
國外申請日期:
國外申請方式:
專利授權日期:
繳費情況:
實施情況: 授權
專利證書號: 9,356,025
專利摘要:
其它備注: 十室