| 專利名稱: | MOSFET的制造方法 |
| 專利類別: | 國(guó)際專利 |
| 申請(qǐng)?zhí)?/strong>: | PCT/CN2012/083749 |
| 申請(qǐng)日期: | 2012-10-30 |
| 專利號(hào): | 9,324,835 |
| 第一發(fā)明人: | 尹海洲;朱慧瓏 |
| 其它發(fā)明人: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)日期: | |
| 國(guó)外申請(qǐng)方式: | |
| 專利授權(quán)日期: | |
| 繳費(fèi)情況: | |
| 實(shí)施情況: | 授權(quán) |
| 專利證書號(hào): | 9,324,835 |
| 專利摘要: | |
| 其它備注: | 十室 |
科研產(chǎn)出